本報告內容使用 AI 技術，並根據 台灣證券交易所及櫃買中心法說會之官方影音檔 進行摘要整理。目標是協助讀者快速理解各公司法說會之重點，包括營運狀況、財務表現及未來展望。

1. 營運摘要

華邦電子 2024Q1 營運表現穩健成長。合併營收達新台幣 87.51 億元，季增 5%；營業毛利為 22.55 億元，季增 27%，毛利率提升至 26%。稅後淨利為 3.97 億元，季增 451%，每股盈餘 (EPS) 為 0.10 元。記憶體事業群為主要成長動能，營收季增 5%，毛利率顯著提升至 21%。

展望未來，公司看好利基型記憶體與行動記憶體市場維持穩健，並因應強勁的市場需求及產品線擴張，董事會通過追加資本支出，2014 年現金資本支出預算由 86 億元上調至 106 億元，主要用於先進製程投資及產能擴充，目標將月產能自 3.8 萬片提升至 4 萬片。

2. 主要業務與產品組合

華邦電子的核心業務為記憶體產品，主要分為三大產品線：利基型記憶體 (Specialty DRAM)、行動記憶體 (Mobile RAM) 與快閃記憶體 (Flash Memory)。

  • 利基型記憶體 (Specialty DRAM)：為公司最大營收來源，佔 2024Q1 記憶體業務營收的 52%。主要應用於網通、硬碟等領域。受惠於市場需求強勁，營收季增 6%，年增 35%。
  • 行動記憶體 (Mobile RAM)：佔營收比重約 12%。專注於中低容量 (512Mb、1Gb) 的低功耗 DRAM，應用於智慧型手機、平板電腦的周邊模組。本季需求強勁，營收季增 17%。
  • 快閃記憶體 (Flash Memory)：佔營收比重約 36%。產品主要為編碼型快閃記憶體 (Code Storage Flash)，應用於消費性、通訊及車用電子。本季營收與上季持平，但價格跌幅已趨緩。

依應用領域區分，2024Q1 營收佔比為：通訊 (39%)、電腦 (32%)、消費性電子 (24%)、車用及工業用 (5%)。其中，車用及工業用領域成長最為顯著，營收年增達 51%。

3. 財務表現

2024Q1 合併財務數據：

  • 營業收入：87.51 億元，季增 5%。
  • 營業毛利：22.55 億元，季增 27%。
  • 毛利率：26% (2023Q4 為 21%)。
  • 營業利益：5.21 億元，季增 161%。
  • 營業利益率：6% (2023Q4 為 2%)。
  • 稅後淨利：3.97 億元，季增 451%。
  • 每股盈餘 (EPS)：0.10 元 (2023Q4 為 0.02 元)。
  • EBITDA：17.06 億元。

2024Q1 記憶體事業群財務數據：

  • 營業收入：70.93 億元，季增 5%。
  • 營業毛利：15.13 億元，季增 37%。
  • 毛利率：21% (2023Q4 為 16%)。
  • 稅後淨利：3.8 億元。

財務驅動與挑戰：

  • 成長驅動因素：營收成長主要來自出貨量增加，以及利基型 DRAM 與低功耗行動 DRAM 的強勁需求。毛利率提升則受惠於產品組合優化、產品均價 (ASP) 趨於穩定，以及先進製程 (DRAM 46nm、Flash 58nm) 佔比提高，帶動成本結構改善。
  • 資本支出：為因應市場機會及擴充產能，公司上修 2014 年資本支出預算至 106 億元，用於擴充月產能至 4 萬片晶圓，並加速製程轉進。

4. 市場與產品發展動態

  • 市場趨勢與機會：

    • DRAM 市場穩定：全球 DRAM 大廠整合後，市場趨於穩定健康，尤其在中低容量的利基型市場，華邦電看到來自 Tier 1 客戶的強勁需求。
    • 新興應用驅動：車用電子、物聯網 (IoT)、穿戴式裝置及智慧型手機周邊模組，帶動了對中低密度 DRAM 與 Flash 的大量需求。
    • PC 換機潮：Microsoft 終止對 Windows XP 的支援，預期將帶動一波 PC 換機潮，進而增加對硬碟等周邊零組件中記憶體的需求。
  • 產品與製程進展：

    • 公司持續推動製程轉進以提升產能效率與成本競爭力。2024Q1 先進製程佔各產品線營收比重皆有所提升：

      • 利基型記憶體：46nm 製程佔比自 50% 提升至 53%。
      • 行動記憶體：46nm 製程佔比自 49% 大幅提升至 60%。
      • 快閃記憶體：58nm 製程佔比自 48% 提升至 53%。
    • 在 Flash 產品方面，成功推出 1Gb 編碼型快閃記憶體，滿足市場對較高容量產品的需求。

5. 營運策略與未來發展

  • 長期發展計畫：

    • 專注利基市場：華邦電明確定位於中低容量的利基型記憶體市場，避開與大廠在高容量 Commodity DRAM 市場的直接競爭。
    • 強調產品性能與品質：未來發展重點將從追求製程微縮 (die size)，轉向強調符合特定應用所需的高性能、高品質與低功耗產品。
    • 產能與技術投資：透過大幅增加資本支出，擴充產能並將資源投入 4x 奈米世代的 DRAM 與 Flash 製程，以因應多元化的產品線與廣泛的市場機會。
  • 競爭定位：

    • 相較於台灣同業專注於標準型 DRAM，華邦電走的是一條差異化道路，不追求最先進的製程節點，而是專注於滿足車用、工業、網通等領域對性能與品質有特殊要求的客戶，建立穩固的市場地位。公司表示，在中國大陸的白牌智慧型手機市場著墨極少，更傾向於經營品牌客戶。

6. 展望與指引

  • 市場展望：公司對 2014 年記憶體市場抱持樂觀看法。預期利基型記憶體與行動記憶體市場將維持穩健。
  • 成長動能：

    • 高低容量 Flash 需求增強：觀察到編碼型快閃記憶體在高容量 (大於 1Gb) 與低容量 (小於 32Mb) 兩端的需求皆有增強趨勢。
    • 多元應用市場：看好車用電子、物聯網、穿戴式裝置等新興市場將成為中低密度 DRAM 與 Flash 的主要成長驅動引擎。
  • 營運指引：

    • 隨著產能擴充及製程轉換，預期出貨量將進一步提升。
    • 下半年 Flash 業務比重預期將略微增加，整體表現看好。

7. Q&A 重點

Q: 南亞科法說會提到許多 Low Power DRAM 產品轉進 3x 奈米製程，請問華邦電今年這麼高的資本支出，有多少比重會投入 3x 奈米？

A: 華邦電今年與明年的製程技術將停留在 4x 奈米世代。我們的市場定位與同業不同，他們主攻大容量 DRAM，必須追求最先進的製程（如 3x 奈米）以維持成本競爭力。華邦電專注於中低容量的利基型 DRAM 與 Flash，在此領域，客戶更重視產品的性能與品質，而非最先進的製程。因此，今年的資本支出主要用於兩大目的：第一，增加總產能；第二，將現有及新增的產能移轉至 46 奈米 (DRAM) 與 58/4x 奈米 (Flash)。未來華邦電的重點是開發符合特定應用所需功能的高性能產品，這也是我們與台灣同業走不一樣路線的地方。

免責聲明

本備忘錄之數據及陳述根據現有的公開資訊與初步檢核，可能因實際財務報表或管理層後續公告之更新資訊而調整。本文件僅作為參考之用，不構成投資建議。

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